而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達(dá)到5甚至6N以上。銅與鋁相比較，銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率，能夠滿足！導(dǎo)體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題：銅與有機(jī)介質(zhì)材料的附著強(qiáng)度低．并且容易發(fā)生反應(yīng)，導(dǎo)致在使用過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。就使用壽命周期而言咬合型刷輥占主導(dǎo)地位，它是由單片刷套、鍵、毛刷輥輥軸、端板組成為整體毛刷輥組裝的形式。

為了解決以上這些問題，需要在銅與介質(zhì)層之間設(shè)置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點(diǎn)、高電阻率的金屬及其化合物，因此要求阻擋層厚度小于50nm，與銅及介質(zhì)材料的附著性能良好。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的．需要研制新的靶材材料。由于容器與藥劑中雜質(zhì)的污染，使得到的金屬純度受到一定的限制，只有用化學(xué)方法將金屬提純到一定純度之后，再用物理方法如區(qū)熔提純，才能將金屬純度提到一個(gè)新的高度。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是難熔金屬．制作相對(duì)困難，如今正在研究鉬、鉻等的臺(tái)金作為替代材料。

在鉑族金屬的應(yīng)用中，光學(xué)玻璃行業(yè)是鉑的重要的應(yīng)用領(lǐng)域，鉑是制造熔制光學(xué)玻璃的坩堝和攪拌器的必選材料，由于光學(xué)玻璃的特殊性，提出了對(duì)坩堝和攪拌器的更苛刻的適用要求，早在八十年代初期，國內(nèi)就有人提出了用彌散強(qiáng)化鉑來制作坩堝和攪拌器。

21世紀(jì)展現(xiàn)良好發(fā)展前景的納米技術(shù)，***由于它們的獨(dú)特優(yōu)異的物理化學(xué)性能，資源的稀缺性以及在已知的傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大應(yīng)用和在未知領(lǐng)域的不斷開拓探索，成為納米技術(shù)早和相當(dāng)重要的研究對(duì)象之一。

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