MEMS光刻工藝外協(xié)——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展的實(shí)際需要，甘肅MEMS光刻技術(shù)，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。

薄膜工藝就是指在半導(dǎo)體晶晶圓片上沉積各種材料，以實(shí)現(xiàn)不同電路功能或特性的過程。和前面幾個工藝步驟是按工藝過程來命名不同，這一步驟命名方式是按材料的“狀態(tài)”來命名的。這個命名甚至讓人看起來有些費(fèi)解，從示意圖看，半導(dǎo)體器件看上去都是厚厚的一個個器件，哪來的薄膜？

其實(shí)為了理解方便，半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)在圖示時經(jīng)過了抽象和不等比例的放大，實(shí)際中半導(dǎo)體器件在晶圓片上非常薄的一層內(nèi)實(shí)現(xiàn)。通常厚度在1微米以內(nèi)。對于一個8英寸（200毫米）的晶圓片來說，1微米的厚度薄膜的制作，相當(dāng)于在200米直徑的操場上，均勻的堆積1毫米厚的沙子。這層薄膜非常的薄，但功能卻非常強(qiáng)大。各個半導(dǎo)體器件之間或是金屬連接，或是電場聯(lián)系，MEMS光刻技術(shù)價格，均需要用這些薄膜層實(shí)現(xiàn)。薄膜層實(shí)現(xiàn)了各器件間復(fù)雜貫穿的“阡陌交通”。正是因?yàn)檫@層結(jié)構(gòu)非常的薄，于是就被稱作“薄膜”工藝。這么薄的膜層不能通過機(jī)械方式來制造，于是，摻雜“沉積”（Deition）工藝被發(fā)明出來。

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在半導(dǎo)體工藝?yán)铮练e是指在原子或分子水平上，將材料沉積在晶圓表面作為一個薄層的過程。沉積工藝就像是噴涂刷，將涂料均勻的薄薄噴灑在晶圓表面上。

根據(jù)實(shí)現(xiàn)方法的不同，沉積主要分為物***相沉積（PVD）和化學(xué)氣相沉積（CVD）。

PVD是利用物理方法，將材料源氣化成氣態(tài)原子、分子，或電離成離子，并通過低壓氣體，在基體表現(xiàn)沉積成薄膜的過程。一般用來沉積金屬薄膜。

CVD是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物，在襯底表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)形成薄膜的方法。一般用于沉積半導(dǎo)體或絕緣體，MEMS光刻技術(shù)加工，以及金屬合金等。

為了增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)，CVD也可以與其他方法相結(jié)合。如PECVD（等離子增強(qiáng)CVD，就是利用等離子體來化學(xué)反應(yīng)，MEMS光刻技術(shù)制作，改善CVD的方法。

根據(jù)不同目標(biāo)和需求，PVD和CVD在實(shí)際工藝流程中也可以自由選擇。

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光刻技術(shù)是一種將掩模板（Mask）上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的晶圓片上的技術(shù)。光刻技術(shù)可以將半導(dǎo)體表面上特定的區(qū)域去除或者保留，從而構(gòu)建半導(dǎo)體器件。

光刻步驟主要包括：

設(shè)計(jì)電路并制作掩模板。這一步一般是通用計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（CAD）軟件完成的，在完成電路設(shè)計(jì)正確性檢查（LVS）和設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（DRC）后，設(shè)計(jì)圖形被轉(zhuǎn)移到掩模板上。掩模板一般是由透明的超純石英玻璃基片制成，在基片上，需要透光的地方保持透明，需要遮光的地方用金屬遮擋。

涂光刻膠：使晶圓對光敏感。執(zhí)行這一步驟時，會在晶圓表面均勻涂抹一層對光敏感的物質(zhì)，光刻膠。光刻膠對光敏感，光照射后會產(chǎn)生化學(xué)變化，于是根據(jù)光照射與否，光刻膠也形成溶解和不可溶解的部分。

***。將光源發(fā)出的光線經(jīng)過掩模板照射到晶圓片上時，掩模板上的圖形也就被轉(zhuǎn)移到了晶圓片上。根據(jù)掩模板上圖形的不同，光刻膠會溶解形成對應(yīng)圖形。

顯影與堅(jiān)膜。用化學(xué)顯影液溶解掉光刻膠中可溶解的區(qū)域，使可見的圖形出現(xiàn)在晶圓片上。顯影后再進(jìn)行高溫烘培，使剩余的光刻膠變硬并提高粘附力。

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