濺射技術(shù)：濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過(guò)加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是制備濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。各種類型的濺射薄膜材料無(wú)論在半導(dǎo)體集成電路、太陽(yáng)能光伏、記錄介質(zhì)、平面顯示以及工件表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。銦錫臺(tái)金靶材可以采用直流反應(yīng)濺射制造ITO薄膜，但是靶表面會(huì)氧化而影響濺射率，并且不易得到大尺寸的臺(tái)金靶材。

區(qū)域提純后的金屬鍺,其錠底表面上的電阻率為30～50歐姆 厘米時(shí)，純度相當(dāng)于8～9，可以滿足電子器件的要求。但對(duì)于雜質(zhì)濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測(cè)器級(jí)超純鍺，則尚須經(jīng)過(guò)特殊處理。

由于鍺中有少數(shù)雜質(zhì)如磷、鋁、硅、硼的分配系數(shù)接近于1或大于1，要加強(qiáng)化學(xué)提純方法除去這些雜質(zhì)，然后再進(jìn)行區(qū)熔提純。電子級(jí)純的區(qū)熔鍺錠用霍爾效應(yīng)測(cè)量雜質(zhì)（載流子）濃度，一般可達(dá)10～10原子/厘米。如上所述，在***地將填料(B)至(D)與橡膠組分(A)混和時(shí)，必須大量使用填料。經(jīng)切頭去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直達(dá)到所要求的純度（10原子/厘米），這樣純度的鍺（相當(dāng)于13）所作的探測(cè)器,其分辨率已接近于理論數(shù)值。

金屬靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料。有金屬類、合金類、氧化物類等等。

簡(jiǎn)單說(shuō)的話，例如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜......鋁膜等。更換不同的靶材（如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。

應(yīng)用于顯示屏的阻擋層或調(diào)色層，筆記本電腦的裝飾層、電池的封裝等.