電源模塊外殼溫升測試

測試外殼溫升可以用熱成像儀或是熱電偶測試，由于發(fā)射率對紅外熱成像儀測量的結(jié)果有影響，從而會(huì)導(dǎo)致測量結(jié)果存在一定的偏差，一般推薦用熱電偶測試。

如環(huán)境溫度Ta=25℃，實(shí)際用熱電偶測的電源模塊的外殼溫度Tc=50℃ ，那么模塊的溫升是△T=Tc - Ta=50 - 25=25℃。其中 Tc----殼溫，Ta----環(huán)境溫度，△T----溫升。

注意事項(xiàng)：不同模塊由于功率、外殼材質(zhì)、內(nèi)部設(shè)計(jì)等的不同，外殼溫度會(huì)有很大的差異。相同環(huán)境條件下，金屬外殼比塑料外殼散熱好，內(nèi)部元件的結(jié)溫更低，可靠性更好。對于密閉的使用環(huán)境，因無自然通風(fēng)，建議將電源模塊與溫度敏感元器件盡量遠(yuǎn)離或是隔離為兩個(gè)空間。

輸出濾波電容過大，導(dǎo)致模塊異常。通常建議在模塊電源的輸出端增加一定的濾波電容。然而，由于認(rèn)識不足等原因，使用了過大的輸出濾波電容，不僅增加了成本，而且降低了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。例如3W模塊的輸出使用1000uF的電容，并且從產(chǎn)品手冊中得知該模塊的輸出電容上限為680uF。過大的輸出電容可能導(dǎo)致啟動(dòng)不良，而對于沒有短路保護(hù)的微功率DC-DC模塊，過大的輸出電容甚至可能導(dǎo)致模塊的永a久性損壞。

吸收電路的損耗

開關(guān)MOS管DS極之間通常會(huì)加一個(gè)小電容如圖2左，用來吸收管子上的電壓尖峰，MOS管上的這個(gè)吸收電容C5會(huì)損耗能量，在確保管子應(yīng)力有足夠余量的情況下，吸收電容容值越小，損耗越小。

輸出整流管上的RC吸收電路如圖2所示，降低RC吸收的損耗，在電路允許的情況下，減小電容C12容值，減小電阻R6阻值可以降低損耗。

調(diào)試開關(guān)電源時(shí)會(huì)出現(xiàn)什么情況

空載，輕載輸出紋波過大

現(xiàn)象：

Vcc在空載或輕載時(shí)不足。

原因：

Vcc不足時(shí)，在啟動(dòng)電壓(如12V)和關(guān)斷電壓(如8V)之間振蕩IC在周期較長的間歇工作，短時(shí)間提供能量到輸出，接著停止工作較長的時(shí)間，使得電容存儲(chǔ)的能量不足以維持輸出穩(wěn)定，輸出電壓將會(huì)下降。

解決方法：

保證任何負(fù)載條件下，Vcc能夠穩(wěn)定供給。